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SI7860DP-T1-E3

SI7860DP-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI7860DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


e络盟:
VISHAY  SI7860DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R


Allied Electronics:
N-CHANNEL 30V MOSFET, 8MOHM @ 10V


SI7860DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 18.0 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.99 mm

高度 1.07 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI7860DP-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI7860DP-T1-E3
型号 制造商 描述 购买
SI7860DP-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI7860DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SI7860DP-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SI7860DP-T1-E3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： SO N-Channel 30V 18A 6.6mΩ

当前型号

VISHAY  SI7860DP-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： IRFH7914TRPBF

品牌： 英飞凌

封装： REEL N-Channel 30V 15A

功能相似

INFINEON  IRFH7914TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 7.5 mohm, 10 V, 1.8 V

SI7860DP-T1-E3和IRFH7914TRPBF的区别

型号： SIR462DP-T1-GE3

品牌： 威世

封装： PowerPAK N-Channel 30V 30A

功能相似

VISHAY  SIR462DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 30 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

SI7860DP-T1-E3和SIR462DP-T1-GE3的区别