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SI9410BDY-T1-E3

SI9410BDY-T1-E3

数据手册.pdf
SI9410BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 2.5 W

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 8.10 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI9410BDY-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI9410BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8Pin SOIC N T/R 搜索库存