SIE848DF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 1.8 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 10
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
SIE848DF-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIE848DF-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE848DF-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | 搜索库存 |
替代型号SIE848DF-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIE848DF-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel | 当前型号 | N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SI7658ADP-T1-GE3 品牌： 威世 封装： PowerPAK N-Channel 30V 60A | 功能相似 | VISHAY SI7658ADP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0018 ohm, 10 V, 2.5 V | SIE848DF-T1-GE3和SI7658ADP-T1-GE3的区别 |