SI4446DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.1 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4446DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4446DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4446DY-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | MOSFET 40V 5.2A 3W 40mohm @ 10V | 搜索库存 |
替代型号SI4446DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4446DY-T1-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： N-Channel 40V 5.2A | 当前型号 | MOSFET 40V 5.2A 3W 40mohm @ 10V | 当前型号 |
| 型号： SI4840BDY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： NSOIC N-Channel | 功能相似 | VISHAY SI4840BDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 40 V, 0.0074 ohm, 10 V, 3 V | SI4446DY-T1-E3和SI4840BDY-T1-GE3的区别 |