SIE810DF-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 10
漏源极电阻 0.0011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 PolarPAK
外形尺寸
封装 PolarPAK
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SIE810DF-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIE810DF-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIE810DF-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 236 A, 20 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1.3 V | 搜索库存 |