SI5913DC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
上升时间 40 ns
下降时间 10 ns
封装参数
封装 ChipFET-8
外形尺寸
封装 ChipFET-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5913DC-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5913DC-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P通道20 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管 P-Channel 20-V D-S MOSFET with Schottky Diode | 搜索库存 |