SI7117DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3.2 W
漏源极电压Vds -150 V
连续漏极电流Ids -21.7 A
上升时间 11 ns
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7117DN-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7117DN-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | P沟道150 V（ D- S）的MOSFET P-Channel 150 V D-S MOSFET | 搜索库存 |