SUP90N04-3M3P-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 5286pF @20VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.51 mm
宽度 4.65 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SUP90N04-3M3P-GE3引脚图与封装图
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在线购买SUP90N04-3M3P-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUP90N04-3M3P-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SUP90N04-3M3P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号SUP90N04-3M3P-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUP90N04-3M3P-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220AB N-Channel | 当前型号 | VISHAY SUP90N04-3M3P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.0027 ohm, 10 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： BUK753R1-40E 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB N-Channel 40V 100A | 功能相似 | NXP BUK753R1-40E 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V | SUP90N04-3M3P-GE3和BUK753R1-40E的区别 |
| 型号： BUK653R4-40C 品牌： 恩智浦 封装： RoHS N-Channel | 功能相似 | NXP BUK653R4-40C 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 3050 µohm, 10 V, 2.3 V | SUP90N04-3M3P-GE3和BUK653R4-40C的区别 |