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SI1302DL-T1-GE3

SI1302DL-T1-GE3

数据手册.pdf
SI1302DL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 280 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-70

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SI1302DL-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI1302DL-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3Pin SC-70 T/R 搜索库存