SISA18ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.006 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 19.8 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK-1212-8
外形尺寸
宽度 3.3 mm
封装 PowerPAK-1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Communications & Networking, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
SISA18ADN-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SISA18ADN-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SISA18ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 38.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.2 V | 搜索库存 |