
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 30 ns
热阻 100℃/W RθJA
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 3.04 mm
高度 1.02 mm
封装 SOT-23
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI2312BDS-T1-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI2312BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI2312BDS-T1-E3 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: SOT-23 N-Channel 20V 5A | 当前型号 | VISHAY SI2312BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV | 当前型号 | |
型号: IRLML6244TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 20V 6.3A | 功能相似 | INFINEON IRLML6244TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 V | SI2312BDS-T1-E3和IRLML6244TRPBF的区别 |