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SI2312BDS-T1-E3

SI2312BDS-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2312BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV

The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
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-55 to 150°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
单 N 沟道 20 V 0.031 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R


SI2312BDS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 750 mW

阈值电压 850 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 30 ns

热阻 100℃/W RθJA

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI2312BDS-T1-E3引脚图与封装图
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SI2312BDS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2312BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV 搜索库存
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型号: SI2312BDS-T1-E3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: SOT-23 N-Channel 20V 5A

当前型号

VISHAY  SI2312BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 850 mV

当前型号

型号: IRLML6244TRPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 20V 6.3A

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