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SI1317DL-T1-GE3

SI1317DL-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SI1317DL-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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-50 to 150°C Operating temperature range
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Halogen-free
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100% Rg tested

欧时:
### P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R


富昌:
Si1317DL 系列 -20 V 0.150 Ohm 表面贴装 P-沟道 20 V D-S Mosfet - SOT-323-3


Newark:
# VISHAY  SI1317DL-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV


SI1317DL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.125 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 450 mV

上升时间 20 ns

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 0.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI1317DL-T1-GE3引脚图与封装图
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SI1317DL-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI1317DL-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV 搜索库存