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SM12T1

瞬态电压抑制二极管阵列 Transient Voltage Suppressor Diode Array

19V Clamp 12A 8/20µs Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-23-3 TO-236


得捷:
TVS DIODE 12VWM 19VC SOT23-3


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 ZEN TVS ARRAY 12V


Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS 12V 3-Pin SOT-23 T/R


SM12T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

工作电压 15.75 V

额定功率 300 W

钳位电压 19 V

脉冲峰值功率 300 W

最小反向击穿电压 13.3 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.40 mm

高度 1.11 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

SM12T1引脚图与封装图
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在线购买SM12T1
型号 制造商 描述 购买
SM12T1 ON Semiconductor 安森美 瞬态电压抑制二极管阵列 Transient Voltage Suppressor Diode Array 搜索库存
替代型号SM12T1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SM12T1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 12V 300W

当前型号

瞬态电压抑制二极管阵列 Transient Voltage Suppressor Diode Array

当前型号

型号: SM12T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 12V 300W

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  SM12T1G.  二极管阵列, TVS, 300W, 12V, SOT-23

SM12T1和SM12T1G的区别

型号: SM12

品牌: 安森美

封装:

完全替代

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SM12T1和SM12的区别

型号: SM12-TP

品牌: 美微科

封装: TO-236-3

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