SPP06N60C3XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP06N60C3XKSA1, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

得捷:
SPP06N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE

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SPP06N60C3XKSA1

欧时:
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP06N60C3XKSA1, 6.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装

贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 6.2A TO220-3

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Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

SPP06N60C3XKSA1中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 750 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 74 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 6.2A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 74 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SPP06N60C3XKSA1引脚图与封装图

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