SI3443DV
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
SI3443DV中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.054 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.6 W
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -4.00 A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 640pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
宽度 1.6 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI3443DV引脚图与封装图
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在线购买SI3443DV
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3443DV | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI3443DV 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -700 mV | 搜索库存 |
替代型号SI3443DV
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3443DV 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SSOT P-Channel -20V -4A 65mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI3443DV 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -20 V, 0.054 ohm, -4.5 V, -700 mV | 当前型号 |
| 型号： SI3443DV_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 类似代替 | MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6 | SI3443DV和SI3443DV_NL的区别 |