
SQ2315ES-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 TO-236
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQ2315ES-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SQ2315ES-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQ2315ES-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.034 ohm, -4.5 V, -450 mV | 搜索库存 |