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SQ2315ES-T1-GE3

SQ2315ES-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SQ2315ES-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.034 ohm, -4.5 V, -450 mV

The is a 12VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

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100% Rg tested
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100% UIS tested
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AEC-Q101 qualified
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Halogen-free
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-55 to 175°C Operating temperature range
SQ2315ES-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 TO-236

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

SQ2315ES-T1-GE3引脚图与封装图
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SQ2315ES-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SQ2315ES-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.034 ohm, -4.5 V, -450 mV 搜索库存