SQJ970EP-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SQJ970EP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.016 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 48 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 8 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
封装 PowerPAK SO
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SQJ970EP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQJ970EP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQJ970EP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SQJ970EP-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 40 V, 0.016 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |