R6009KNJTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 5 V

N-Channel 600V 9A Tc 94W Tc Surface Mount LPTS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 9A LPTS

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 5 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

R6009KNJTL中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.5 Ω

极性 N-CH

耗散功率 94 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 540pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

R6009KNJTL引脚图与封装图

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