RQ6E030ATTCR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RQ6E030ATTCR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 8.5 ns
输入电容Ciss 240pF @15VVds
下降时间 5.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
外形尺寸
封装 SOT-457
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RQ6E030ATTCR引脚图与封装图 
RQ6E030ATTCR引脚图
RQ6E030ATTCR封装图
RQ6E030ATTCR封装焊盘图
在线购买RQ6E030ATTCR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RQ6E030ATTCR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |
替代型号RQ6E030ATTCR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RQ6E030ATTCR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT P-Channel 30V 3A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -30 V, 0.07 ohm, -10 V, -2.5 V | 当前型号 |
| 型号： RRQ030P03TR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT P-Channel 30V 3A | 功能相似 | P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | RQ6E030ATTCR和RRQ030P03TR的区别 |