RUF025N02TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 800 mW
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 370pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
长度 2.1 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.82 mm
封装 SMD-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
RUF025N02TL引脚图
RUF025N02TL封装图
RUF025N02TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
RUF025N02TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RUF025N02TL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 20 V, 0.039 ohm, 4.5 V, 300 mV | 搜索库存 |