RZL035P01TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RZL035P01TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1W Ta
漏源极电压Vds 12 V
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1940pF @6VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 180 ns
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TUMT-6
外形尺寸
封装 TUMT-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RZL035P01TR引脚图与封装图 
RZL035P01TR引脚图
RZL035P01TR封装图
RZL035P01TR封装焊盘图
在线购买RZL035P01TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RZL035P01TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P-沟道 1 W 12 V 36 mOhm 表面贴装 MosFet - TUMT-6 | 搜索库存 |