RN1103MFV,L3F

Toshiba(东芝) 分立器件

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3Pin SOT-723

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

RN1103MFV,L3F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 70 @10mA, 5V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1103MFV,L3F引脚图与封装图

RN1103MFV,L3F封装图

RN1103MFV,L3F封装焊盘图

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