RLZTE-1120D
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RLZTE-1120D中文资料参数规格
技术参数
容差 ±3 %
耗散功率 500 mW
稳压值 19.1 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 LL-34-2
外形尺寸
长度 3.4 mm
封装 LL-34-2
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RLZTE-1120D引脚图与封装图
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在线购买RLZTE-1120D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RLZTE-1120D | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | 搜索库存 |
替代型号RLZTE-1120D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RLZTE-1120D 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 当前型号 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | 当前型号 |
| 型号： RLZTE-1124D 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 功能相似 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | RLZTE-1120D和RLZTE-1124D的区别 |
| 型号： RLZTE-1139D 品牌： 罗姆半导体 封装： DO-213AC | 功能相似 | 电压调节玻璃封装型。 （LLDS）高可靠性。齐纳二极管 | RLZTE-1120D和RLZTE-1139D的区别 |