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RN1421TE85LF

RN1421TE85LF

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3Pin S-Mini T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 800mA 300MHz 200mW Surface Mount S-Mini


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 3-Pin S-Mini T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI


RN1421TE85LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 60

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 300 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN1421TE85LF引脚图与封装图
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