RN2422TE85LF

Toshiba(东芝) 分立器件

双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 3-Pin S-Mini T/R

RN2422TE85LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 65 @100mA, 1V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN2422TE85LF引脚图与封装图

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