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PMZB200UNEYL

PMZB200UNEYL

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件

DFN-B N-CH 30V 1.4A

* Very fast switching * Low threshold voltage * Trench MOSFET technology * ElectroStatic Discharge ESD protection: 2 kV HBM * Ultra thin package profile of 0.37 mm


得捷:
MOSFET N-CH 30V SOT883


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN T/R


PMZB200UNEYL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 350mW Ta, 6.25W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.4A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 89pF @15VVds

额定功率Max 350 mW

下降时间 3 ns

耗散功率Max 350mW Ta, 6.25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DFN1006B-3

外形尺寸

封装 DFN1006B-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Pre-Release

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMZB200UNEYL引脚图与封装图
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