PMZB200UNEYL
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 350mW Ta, 6.25W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.4A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 89pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 3 ns
耗散功率Max 350mW Ta, 6.25W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 DFN1006B-3
封装 DFN1006B-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Pre-Release
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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