PUMH2,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PUMH2,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Industrial, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Automation & Process Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PUMH2,115引脚图与封装图
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在线购买PUMH2,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PUMH2,115 | NXP 恩智浦 | NXP PUMH2,115 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号PUMH2,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PUMH2,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 NPN 300mW | 当前型号 | NXP PUMH2,115 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
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| 型号： PUMH20,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | NXP PUMH20,115 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装 | PUMH2,115和PUMH20,115的区别 |