针脚数 6
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.75 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 5.40 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 555pF @25VVds
额定功率Max 1.75 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-457
长度 3.1 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOT-457
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMN40LN,135 | NXP 恩智浦 | NXP PMN40LN,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMN40LN,135 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-457 N-Channel 30V 5.4A | 当前型号 | NXP PMN40LN,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V | 当前型号 |
| 型号： NTGS4141NT1G 品牌： 安森美 封装： TSOP N-Channel 30V 7A 30mohms 560pF | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTGS4141NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.0215 ohm, 10 V, 3 V | PMN40LN,135和NTGS4141NT1G的区别 |
| 型号： FDC653N 品牌： 飞兆/仙童 封装： SSOT N-Channel 30V 5A 35mohms 350pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC653N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 35 mohm, 10 V, 1.7 V | PMN40LN,135和FDC653N的区别 |
| 型号： FDC855N 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23-6 N-Channel 30V 6.1A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC855N 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 V | PMN40LN,135和FDC855N的区别 |
