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MMBT2222AT-7-F

MMBT2222AT-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

MMBT2222AT-7-F 编带

MMBT222AT Series 150 mW 40 V NPN Surface Mount Small Signal Transistor - SOT-523


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TRANS NPN 40V 0.6A SOT523


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NPN 40V 600mA


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TRANSISTOR NPN 40V SOT523


MMBT2222AT-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 375

额定功率Max 150 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523-3

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.75 mm

封装 SOT-523-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

MMBT2222AT-7-F引脚图与封装图
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在线购买MMBT2222AT-7-F
型号 制造商 描述 购买
MMBT2222AT-7-F Diodes 美台 MMBT2222AT-7-F 编带 搜索库存
替代型号MMBT2222AT-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMBT2222AT-7-F

品牌： Diodes 美台

封装： SOT-523 NPN 40V 600mA 150mW

当前型号

MMBT2222AT-7-F 编带

当前型号

型号： MMBT2222AT-7

品牌： 美台

封装： SOT-523 NPN 40V 600mA

功能相似

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A Automotive 3Pin SOT-523 T/R

MMBT2222AT-7-F和MMBT2222AT-7的区别

型号： MMBT2222A

品牌： 安世

封装：

功能相似

Bipolar BJT Single Transistor, Switching, NPN, 40V, 300MHz, 0.25W1/4W, 600mA, 100

MMBT2222AT-7-F和MMBT2222A的区别

型号： MMBT2222AF065

品牌： 飞兆/仙童

封装：

功能相似

Trans GP BJT NPN 40V 1A 3Pin SOT-23 T/R

MMBT2222AT-7-F和MMBT2222AF065的区别