
额定电压DC 250 V
额定电流 16.0 A
极性 NPN
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 250 V
集电极最大允许电流 16A
最小电流放大倍数hFE 25 @8A, 5V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
长度 20.3 mm
宽度 5.3 mm
高度 26.4 mm
封装 TO-264-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 Professional audio amplifiers
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MJL21194 | ON Semiconductor 安森美 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MJL21194 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-264 NPN 250V 16A 200W | 当前型号 | 互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS | 当前型号 | |
型号: MJL21194G 品牌: 安森美 封装: TO-264 NPN 250V 16A 200000mW | 类似代替 | NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | MJL21194和MJL21194G的区别 |