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MBR40030CT

MBR40030CT

数据手册.pdf
GeneSiC Semiconductor 分立器件

肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 30P/21R

Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 200A Chassis Mount Twin Tower


得捷:
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER


贸泽:
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 30P/21R


艾睿:
Diode Schottky 30V 400A 3-Pin3+Tab Twin Tower


AMEYA360:
DIODE MODULE 30V 400A 2TOWER


Electro Sonic:
Silicon Rectifier Module - Schottky Std Config - 30V - 400A - Twin Tower


MBR40030CT中文资料参数规格
技术参数

正向电压 650mV @200A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Module

外形尺寸

封装 Module

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MBR40030CT引脚图与封装图
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MBR40030CT GeneSiC Semiconductor 肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 400A 30P/21R 搜索库存