MMBT2222AWT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 150 mW
增益频宽积 300 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT2222AWT1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMBT2222AWT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT2222AWT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管 General Purpose Transistor | 搜索库存 |
替代型号MMBT2222AWT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT2222AWT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 40V 600mA | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistor | 当前型号 |
| 型号： MMBT2222AWT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 40V 28A 150mW | 类似代替 | NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | MMBT2222AWT1和MMBT2222AWT1G的区别 |
| 型号： P2N2222AG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 600mA 625mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR P2N2222AG. 放大器晶体管 | MMBT2222AWT1和P2N2222AG的区别 |
| 型号： MMST2222A-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-323 NPN 40V 600mA 200mW | 功能相似 | MMST2222A 系列 40 V 200 mW NPN 小信号 表面贴装 晶体管 - SOT-323-3 | MMBT2222AWT1和MMST2222A-7-F的区别 |