MMBF5457LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 5.00 mA
极性 N-Channel
耗散功率 225 mW
输入电容 7.00 pF
漏源极电压Vds 25 V
栅源击穿电压 25.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 mA
击穿电压 25 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBF5457LT1G引脚图与封装图
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在线购买MMBF5457LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBF5457LT1G | ON Semiconductor 安森美 | JFET - 通用晶体管N沟道 JFET - General Purpose Transistor N-Channel | 搜索库存 |
替代型号MMBF5457LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBF5457LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 25V 5mA 225mW | 当前型号 | JFET - 通用晶体管N沟道 JFET - General Purpose Transistor N-Channel | 当前型号 |
| 型号： MMBF5457LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 25V 10mA 200mW | 类似代替 | MMBF5457LT1 N沟道结型场效应管 25v 1~5mA SOT-23 marking/标记 6D radio 放大器和开关 | MMBF5457LT1G和MMBF5457LT1的区别 |
| 型号： MMBF5486 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 N-Channel 25V 10mA 225mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF5486.. 场效应管, JFET, N沟道, -25V, SOT-23 | MMBF5457LT1G和MMBF5486的区别 |
| 型号： BFT46,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 250mW | 功能相似 | BFT46 系列 25 V 5 mA N沟道 结型场效应晶体管 - TO236AB | MMBF5457LT1G和BFT46,215的区别 |