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MMBT5088
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5088  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 300 hFE

The is a NPN Bipolar Transistor General designed for low noise, high gain and general purpose amplifier applications at collector currents from 1µA to 50mA.

.
-55 to 150°C Operating junction temperature range

得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBT5088系列 30 V CE击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - SOT-23


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5088  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 30 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 300 hFE


Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23


DeviceMart:
TRANSISTOR GP NPN AMP SOT-23


MMBT5088中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 50.0 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 350 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V

最大电流放大倍数hFE 900

额定功率Max 350 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBT5088引脚图与封装图
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在线购买MMBT5088
型号 制造商 描述 购买
MMBT5088 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5088  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 300 hFE 搜索库存
替代型号MMBT5088
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBT5088

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 30V 50mA 350mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5088  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 50 MHz, 350 mW, 100 mA, 300 hFE

当前型号

型号: MMBT6429LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW

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