锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

ST Microelectronics 意法半导体 电子元器件分类

宽带宽单J-FET运算放大器 WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS

DESCRIPTION

These circuits are monolithic J-FET input operational amplifiers incorporating well matched, high voltage J-FET on the same chip with standard bipolar transistors.

HIGH INPUT IMPEDANCE J-FET INPUT STAGE

HIGH SPEED J-FET OP-AMPs : up to 20MHz, 50V/µs

OFFSET VOLTAGEADJUSTMENT DOES NOT DEGRADE DRIFT OR COMMON-MODE REJECTION AS IN MOST OF MONOLITHIC AMPLIFIERS

INTERNAL COMPENSATION AND LARGE DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGECAPABILITY UP TO VCC+


LF357N中文资料参数规格
封装参数

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

其他

产品生命周期 Unknown

LF357N引脚图与封装图
暂无图片
在线购买LF357N
型号 制造商 描述 购买
LF357N ST Microelectronics 意法半导体 宽带宽单J-FET运算放大器 WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS 搜索库存
替代型号LF357N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: LF357N

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装:

当前型号

宽带宽单J-FET运算放大器 WIDE BANDWIDTH SINGLE J-FET OPERATIONAL AMPLIFIERS

当前型号

型号: CA3130E

品牌: 英特矽尔

封装: DIP 8Pin 30V/us

功能相似

15MHz的,采用BiMOS与MOSFET的输入运算放大器/ CMOS输出 15MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/CMOS Output

LF357N和CA3130E的区别