LF253D
数据手册.pdfST Microelectronics(意法半导体)
电子元器件分类
LF253D中文资料参数规格
技术参数
供电电流 1.4 mA
电路数 2
耗散功率 0.68 W
共模抑制比 70 dB
转换速率 16.0 V/μs
增益频宽积 4 MHz
输入补偿电压 10 mV
输入偏置电流 0.2 nA
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 680 mW
共模抑制比Min 70 dB
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 105℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
LF253D引脚图与封装图 
LF253D引脚图
LF253D封装图
LF253D封装焊盘图
替代型号LF253D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： LF253D 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SOIC 8Pin 16V/us | 当前型号 | 运算放大器 - 运放 Dual Wideband JFET | 当前型号 |
| 型号： OPA2227UA 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8MHz 2Channel 8Pin | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS OPA2227UA. 芯片, 放大器 | LF253D和OPA2227UA的区别 |
| 型号： MC33077DR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC | 功能相似 | MC33077，低噪声，双路运算放大器，ON Semiconductor低电压噪声：4.4 nV/√Hz（1 kHz 时） 低输入偏置电压：0.2 mV 输入偏置电压：2.0 μV/°C ### 运算放大器，ON Semiconductor | LF253D和MC33077DR2G的区别 |
| 型号： MC33077DG 品牌： 安森美 封装： SOIC 8Pin | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MC33077DG 运算放大器, 双路, 37 MHz, 2个放大器, 11 V/µs, ± 2.5V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚 | LF253D和MC33077DG的区别 |