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IXFA10N60P-TRL

IXFA10N60P-TRL

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 电子元器件分类
IXFA10N60P-TRL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 W

阈值电压 5.5 V

上升时间 27 ns

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFA10N60P-TRL引脚图与封装图
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IXFA10N60P-TRL IXYS Semiconductor MOSFET 600V 10A 搜索库存