IXKF40N60SCD1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXKF40N60SCD1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 -
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 18 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 5
封装 ISOPLUS-i4-3
外形尺寸
封装 ISOPLUS-i4-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXKF40N60SCD1引脚图与封装图
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在线购买IXKF40N60SCD1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXKF40N60SCD1 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 5Pin5+Tab ISOPLUS I4-PAC | 搜索库存 |
替代型号IXKF40N60SCD1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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