FZT653TC
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
FZT653TC中文资料参数规格
技术参数
频率 175 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @500mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
FZT653TC引脚图与封装图
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在线购买FZT653TC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FZT653TC | Diodes 美台 | Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |
替代型号FZT653TC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FZT653TC 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-223 NPN 100V 2A 3W | 当前型号 | Trans GP BJT NPN 100V 2A 3000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 当前型号 |
| 型号： FZT653TA 品牌： 美台 封装： SOT-223 NPN 100V 2A 3000mW | 完全替代 | 三极管 | FZT653TC和FZT653TA的区别 |
| 型号： FZT653 品牌： 美台 封装： | 类似代替 | 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 175 MHz, 2 W, 2 A, 200 hFE | FZT653TC和FZT653的区别 |