FDD6780
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6780中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3.7W Ta, 32.6W Tc
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 16.5A
输入电容Ciss 1590pF @13VVds
额定功率Max 3.7 W
耗散功率Max 3.7W Ta, 32.6W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FDD6780引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FDD6780
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6780 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 25V 16.5A | 当前型号 | N沟道 25V 16.5A 30A | 当前型号 |
| 型号： FDD6780A 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-CH 25V 16.4A | 类似代替 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDD6780和FDD6780A的区别 |