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BLF6H10LS-160,112

BLF6H10LS-160,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 0 to 1GHz, 160W, 20dB, 50V, SOT467B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 50V 600mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20dB 38W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 104V 20DB SOT467B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 3-Pin SOT-467B Bulk


安富利:
RF Components


RfMW:
RF Power Transistor, 0 to 1 GHz, 160 W, 20 dB, 50 V, SOT467B, LDMOS


BLF6H10LS-160,112中文资料参数规格
技术参数

频率 952.5MHz ~ 957.5MHz

输出功率 38 W

增益 20 dB

测试电流 600 mA

输入电容Ciss 100pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-467

外形尺寸

封装 SOT-467

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF6H10LS-160,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF6H10LS-160,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0 to 1GHz, 160W, 20dB, 50V, SOT467B, LDMOS 搜索库存