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ADP3412JR

ADP3412JR

MOSFET DRVR 2Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8Pin SOIC N

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC


Chip1Stop:
MOSFET DRVR 2-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N


Win Source:
IC MOSFET DVR DUAL N-CH 8-SOIC


ADP3412JR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 20 ns

电源电压 4.15V ~ 7.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ADP3412JR引脚图与封装图
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