APTM20UM03FAG
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM20UM03FAG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2270000 mW
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 580A
上升时间 64 ns
输入电容Ciss 43300pF @25VVds
下降时间 116 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2270W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 5
封装 SP-6
外形尺寸
封装 SP-6
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM20UM03FAG引脚图与封装图
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