APT25GLQ120JCU2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT25GLQ120JCU2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 170 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 1.43nF @25V
额定功率Max 170 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT25GLQ120JCU2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT25GLQ120JCU2 | Microsemi 美高森美 | APT25GLQ120JCU2 单 1200 V 45 A 场截止 - 沟槽栅 IGBT SOT-227-4 | 搜索库存 |