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APTGT50DDA120T3G

APTGT50DDA120T3G

数据手册.pdf

双升压斩波快速沟道+场截止IGBT功率模块 Dual Boost chopper Fast Trench + Field Stop IGBT Power Module

This infineon IGBT module from will handle large currents with little seepage. Its maximum power dissipation is 270000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 1200 V. It is made in a dual configuration. This IGBT driver board has an operating temperature range of -40 °C to 150 °C.

APTGT50DDA120T3G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 270000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 3.6nF @25V

额定功率Max 270 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 270000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 32

封装 SP-3

外形尺寸

封装 SP-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

APTGT50DDA120T3G引脚图与封装图
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