AT-41532-BLKG
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AVAGO Technologies
安华高科
分立器件
AT-41532-BLKG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 50.0 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 9dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
AT-41532-BLKG引脚图与封装图
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在线购买AT-41532-BLKG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AT-41532-BLKG | AVAGO Technologies 安华高科 | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3Pin SOT-323 Bulk | 搜索库存 |
替代型号AT-41532-BLKG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AT-41532-BLKG 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： SOT-323 NPN 12V 50mA 225mW | 当前型号 | Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3Pin SOT-323 Bulk | 当前型号 |
| 型号： AT-41532-TR1G 品牌： 安华高科 封装： SOT-323 NPN 12V 50mA 225mW | 完全替代 | 射频RF双极晶体管 Transistor Si | AT-41532-BLKG和AT-41532-TR1G的区别 |
| 型号： AT-41532-TR1 品牌： 安华高科 封装： SOT-323 12V 50mA | 完全替代 | TRANSISTOR,BJT,NPN,12V VBRCEO,50mA IC,SOT-323 | AT-41532-BLKG和AT-41532-TR1的区别 |