APTGT100SK170D1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTGT100SK170D1G中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1700 V
输入电容Cies 8.5nF @25V
额定功率Max 695 W
封装参数
安装方式 Chassis
封装 D1
外形尺寸
封装 D1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTGT100SK170D1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTGT100SK170D1G | Microsemi 美高森美 | IGBT 1700V 200A 695W D1 | 搜索库存 |