制造商型号： | NAND512R3A2BZA6E |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 存储器芯片-控制器芯片 |
商品描述： | IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ST(意法半导体) NAND512R3A2BZA6E
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NAND512R3A2BZA6E 中文资料
数据手册PDF
NAND512R3A2BZA6E 规格参数
关键信息
制造商 STMicroelectronics
系列 -
包装 托盘
产品状态 停产
技术类参数
可编程 未验证
存储器格式 闪存
存储器组织 64M x 8
存储器接口 并联
写周期时间-字，页 60ns
访问时间 60 ns
电源电压 1.7V ~ 1.95V
规格参数
技术 闪存 - NAND
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
物理类型
存储器类型 非易失
其它
存储容量 512Mb
产品编号 NAND512
封装参数
产品安装类型 表面贴装型
封装 63-VFBGA
供应商器件封装 63-VFBGA（8.5x15）
品牌其他型号
NAND512R3A2BZA6E品牌厂家：ST
，所属分类： 存储器芯片-控制器芯片
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