制造商型号: | MT49H8M36SJ-25E:B |
制造商: | MICRON (镁光) |
产品类别: | 存储器芯片-控制器芯片 |
商品描述: | IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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MICRON(镁光) MT49H8M36SJ-25E:B
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MT49H8M36SJ-25E:B 中文资料
数据手册PDF
MT49H8M36SJ-25E:B 规格参数
关键信息
制造商 Micron Technology
商标 Micron
商标名 RLDRAM
技术类参数
数据总线宽度 36 bit
存储容量 288 Mbit
时钟频率(Max) 533 MHz
电源电压-(Max) 1.9 V
电源电压-(Min) 1.7 V
电源电流(Max) 365 mA
湿度敏感性 Yes
规格参数
组织 8 M x 36
物理类型
产品种类 动态随机存取存储器
类型 RLDRAM2
安装风格 SMD/SMT
产品类型 DRAM
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1120 | 192.898065 | 216045.83 |
3360 | 189.325903 | 636135.03 |
品牌其他型号
MT49H8M36SJ-25E:B品牌厂家:MICRON
,所属分类: 存储器芯片-控制器芯片
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