制造商型号: | MT49H32M18CSJ-18:B TR |
制造商: | MICRON (镁光) |
产品类别: | 存储器芯片-控制器芯片 |
商品描述: | IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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MICRON(镁光) MT49H32M18CSJ-18:B TR
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MT49H32M18CSJ-18:B TR 中文资料
数据手册PDF
MT49H32M18CSJ-18:B TR 规格参数
关键信息
制造商 Micron Technology
商标 Micron
商标名 RLDRAM
技术类参数
数据总线宽度 18 bit
存储容量 576 Mbit
时钟频率(Max) 533 MHz
电源电压-(Max) 1.9 V
电源电压-(Min) 1.7 V
电源电流(Max) 505 mA
规格参数
组织 32 M x 18
物理类型
产品种类 动态随机存取存储器
类型 RLDRAM2
安装风格 SMD/SMT
产品类型 DRAM
品牌其他型号
MT49H32M18CSJ-18:B TR品牌厂家:MICRON
,所属分类: 存储器芯片-控制器芯片
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